SI1029X-T1-GE3 | MOSFET Doble, Canal N y P, 305 mA, 60 V, 1.4 ohm, 10 V, 2.5 V

1 variante disponible.

Otros nombres: MOSFET, SI1029X-T1-GE3, Dual, N/P-Canal, 190 mA, 300 mA, 60 V, 6-Pin, SOT-523 (SC-89) Aislado Si.

⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.

MOSFET Doble, Canal N y P, 305 mA, 60 V, 1.4 ohm, 10 V, 2.5 V

Fabricado por: Vishay

Polaridad de Transistor: Canal N y P Corriente de Drenaje Continua Id: 305mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Dobles.

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