SI2365EDS-T1-GE3 | Transistor MOSFET, Canal P, -5.9 A, -20 V, 0.0265 ohm, -4.5 V, -1 V

1 variante disponible.

Otros nombres: MOSFET, SI2365EDS-T1-GE3, P-Canal, 4,7 A, 20 V, 3-Pin, SOT-23 (TO-236) Simple Si.

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Transistor MOSFET, Canal P, -5.9 A, -20 V, 0.0265 ohm, -4.5 V, -1 V

Fabricado por: Vishay

Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -5.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.

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