SI4102DY-T1-GE3 | Transistor MOSFET, Canal N, 3.8 A, 100 V, 0.13 ohm, 10 V, 2 V

2 variantes disponibles.

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Transistor MOSFET, Canal N, 3.8 A, 100 V, 0.13 ohm, 10 V, 2 V

Fabricado por: Vishay
Datasheet

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 3.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.

Mejor precio
Unidades/pack 5 000
Precio unitario 0,366€
Entrega >30 días

MOSFET, SI4102DY-T1-GE3, N-Canal, 2,7 A, 100 V, 8-Pin, SOIC

Fabricado por: Vishay
Datasheet

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.

Mejor fecha de entrega
Unidades/pack 2 500
Precio unitario 0,377€
Entrega 30 días