SI4900DY-T1-GE3 | MOSFET, SI4900DY-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 4,3 A, 60 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si
2 variantes disponibles.
Otros nombres: MOSFET, SI4900DY-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 4.3 A, 60 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.
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MOSFET, SI4900DY-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 4,3 A, 60 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si
Fabricado por: Vishay
Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.
| Mejor precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 2.500 |
| Precio unitario | 0,426€ |
| Entrega | >30 días |
Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 5.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Dobles.
| Mejor fecha de entrega | |
|---|---|
| Unidades/pack | 5.000 |
| Precio unitario | 0,431€ |
| Stock (packs) | 2821 |
| Entrega | 7 días |