SI4909DY-T1-GE3 | MOSFET Doble, Canal P Doble, -8 A, -40 V, 0.021 ohm, -10 V, -1.2 V

1 variante disponible.

Otros nombres: MOSFET, SI4909DY-T1-GE3, Dual, P-Canal, 6,5 A, 40 V, 8-Pin, SOIC Aislado Si.

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MOSFET Doble, Canal P Doble, -8 A, -40 V, 0.021 ohm, -10 V, -1.2 V

Fabricado por: Vishay

Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Dobles.

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