SI6981DQ-T1-GE3 | MOSFET Doble, Canal P Doble, -4.1 A, -20 V, 0.026 ohm, -4.5 V, -900 mV

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MOSFET Doble, Canal P Doble, -4.1 A, -20 V, 0.026 ohm, -4.5 V, -900 mV

Fabricado por: Vishay

Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -4.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Dobles.

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