SI8816EDB-T2-E1 | Transistor MOSFET, Canal N, 2.3 A, 30 V, 0.087 ohm, 10 V, 600 mV

2 variantes disponibles.

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Transistor MOSFET, Canal N, 2.3 A, 30 V, 0.087 ohm, 10 V, 600 mV

Fabricado por: Vishay

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.

Mejor precio
Unidades/pack 5 000
Precio unitario 0,098€
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TMOS2172

Fabricado por: Vishay

N-CH 30V 2,3A 109mOhm...

Tags: Semiconductors, Transistors, Low Voltage MOSFETs (<500V).

Mejor fecha de entrega
Unidades/pack 3 000
Precio unitario 0,107€
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Entrega 30 días