SIA975DJ-T1-GE3 | MOSFET Doble, Canal P Doble, -4.5 A, -12 V, 0.07 ohm, -1.8 V, -400 mV

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MOSFET Doble, Canal P Doble, -4.5 A, -12 V, 0.07 ohm, -1.8 V, -400 mV

Fabricado por: Vishay

Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -4.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -12V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Dobles.

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