SIHA2N80E-GE3 | Transistor MOSFET, Canal N, 2.8 A, 800 V, 2.38 ohm, 10 V, 4 V

1 variante disponible.

Otros nombres: MOSFET, SIHA2N80E-GE3, N-Canal-Canal, 2,8 A, 800 V, 3-Pin, TO-220 E-Series Simple Si.

Transistor MOSFET, Canal N, 2.8 A, 800 V, 2.38 ohm, 10 V, 4 V

Fabricado por: Vishay

Datasheet

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.