SIHB11N80AE-GE3 | MOSFET, SIHB11N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 8 A, 800 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) E

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MOSFET, SIHB11N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 8 A, 800 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) E

Fabricado por: Vishay

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.

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