SIHB12N60E-GE3 | MOSFET, SIHB12N60E-GE3, N-Canal-Canal, 12 A, 600 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) E Series Simple Si
2 variantes disponibles.
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MOSFET, SIHB12N60E-GE3, N-Canal-Canal, 12 A, 600 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) E Series Simple Si
Fabricado por: Vishay
Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.
| Mejor precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 50 |
| Precio unitario | 0,828€ |
| Entrega | >30 días |
Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 12A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.
| Mejor fecha de entrega | |
|---|---|
| Unidades/pack | 5 000 |
| Precio unitario | 0,841€ |
| Stock (packs) | 1165 |
| Entrega | 7 días |