SIHB22N60E-GE3 | Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V

1 variante disponible.

Otros nombres: MOSFET, SIHB22N60E-GE3, N-Canal-Canal, 21 A, 600 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) E Series Simple Si.

Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V

Fabricado por: Vishay

Datasheet

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.