SIHB30N60E-GE3 | Transistor MOSFET, Canal N, 29 A, 600 V, 0.104 ohm, 10 V, 2 V
1 variante disponible.
Otros nombres: MOSFET, SIHB30N60E-GE3, N-Canal-Canal, 29 A, 600 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) E Series Simple Si.
⚠️ Dada la caótica situación de precios y plazos en el sector les rogamos, temporalmente, tomen la información mostrada como orientativa.
Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 29A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 100 |
| Precio unitario | 1,901€ |
| Entrega | >30 días |