SIHD11N80AE-GE3 | MOSFET, SIHD11N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 8 A, 800 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) E
1 variante disponible.
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MOSFET, SIHD11N80AE-GE3, N-Canal-Canal, 8 A, 800 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) E
Fabricado por: Vishay
Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 3 000 |
| Precio unitario | 0,668€ |
| Entrega | >30 días |