SIHF22N60E-E3 | Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V

2 variantes disponibles.

Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 2 V

Fabricado por: Vishay

Datasheet

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.

MOSFET, SIHF22N60E-E3, N-Canal, 21 A, 600 V, 3-Pin, TO-220FP

Fabricado por: Vishay

Datasheet

Los MOSFET de potencia de la serie E de Vishay son transistores de alta tensión con un nivel máximo en resistencia, factor de mérito bajo y una conmutación rápida. Están disponibles en una amplia gama de corrientes nominales. Las aplicaciones típicas incluyen servidores y fuentes de alimentación para telecomunicaciones, iluminación LED, convertidores Flyback, corrección de factor de potencia (PFC) y fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS).

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.