SIHG33N65EF-GE3 | Transistor MOSFET, Canal N, 31.6 A, 650 V, 0.095 ohm, 10 V, 4 V

2 variantes disponibles.

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Transistor MOSFET, Canal N, 31.6 A, 650 V, 0.095 ohm, 10 V, 4 V

Fabricado por: Vishay

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 31.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.

Mejor precio
Unidades/pack 250
Precio unitario 3,201€
Entrega >30 días

TMOS1220

Fabricado por: Vishay

N-CH 700V 31,6A 95mOhm...

Tags: Semiconductors, Transistors, High Voltage MOSFETs (>=500V).

Mejor fecha de entrega
Unidades/pack 500
Precio unitario 3,977€
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Entrega 30 días