SISS60DN-T1-GE3 | MOSFET, SISS60DN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 181.8 A, 30 V, 8-Pin, PowerPak 1212-S Simple
2 variantes disponibles.
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MOSFET, SISS60DN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 181.8 A, 30 V, 8-Pin, PowerPak 1212-S Simple
Fabricado por: Vishay
Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.
| Mejor precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 3 000 |
| Precio unitario | 0,501€ |
| Entrega | >30 días |
Polaridad de Transistor: Canal N + Schottky Corriente de Drenaje Continua Id: 181.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.
| Mejor fecha de entrega | |
|---|---|
| Unidades/pack | 1 000 |
| Precio unitario | 0,563€ |
| Stock (packs) | 30 |
| Entrega | 7 días |