SISS66DN-T1-GE3 | Transistor MOSFET, Canal N + Schottky, 178.3 A, 30 V, 0.00115 ohm, 10 V, 2.5 V
1 variante disponible.
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Polaridad de Transistor: Canal N + Schottky Corriente de Drenaje Continua Id: 178.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores MOSFET, Transistores MOSFET Simples.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 1 000 |
| Precio unitario | 0,557€ |
| Stock (packs) | 50 |
| Entrega | 7 días |