SMBT 3906 E6327 | Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, 40 V, 330 mW, 200 mA, 100 hFE

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Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, 40 V, 330 mW, 200 mA, 100 hFE

Fabricado por: Infineon

Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 330mW

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores Bipolares, Transistores Simples de Unión Bipolar (BJT).

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