STGP30V60F | IGBT, STGP30V60F, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-220, 3-Pines, 1MHZ Simple

1 variante disponible.

Otros nombres: IGBT, STGP30V60F, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-220, 3-Pines, 1MHz, Transistor Único IGBT, 60 A, 1.85 V, 260 W, 600 V, TO-220, 3 Pines.

IGBT, STGP30V60F, N-Canal, 30 A, 600 V, TO-220, 3-Pines, 1MHZ Simple

Fabricado por: Stmicroelectronics

Datasheet

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT.