STGW8M120DF3 | Transistor Único IGBT, Puerta en Zanja, 16 A, 1.85 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines

2 variantes disponibles.

Otros nombres: IGBT, STGW8M120DF3, N-Canal, 16 A a +25 °C, 1.200 V, TO, 3-Pines, 1MHZ 1 Simple.

Transistor Único IGBT, Puerta en Zanja, 16 A, 1.85 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pines

Fabricado por: Stmicroelectronics

Datasheet

Corriente de Colector DC: 16A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V Disipación de Potencia Pd: 167W

Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores IGBT Simples.

IGBT, STGW8M120DF3, N-Canal, 16 A a +25 °C, 1.200 V, TO, 3-Pines, 1MHz

Fabricado por: Stmicroelectronics

Datasheet

Basados en la tecnología Trench Field Stop (TFS), los IGBT de la serie M de 1.200 V están diseñados para aplicaciones que usen una frecuencia de conmutación entre 2 y 20 kHz. Con características de conducción y desconexión optimizadas, y unas pérdidas de conexión bajas, estos IGBT son ideales para su uso en circuitos de conmutación dura en aplicaciones como inversores solares, equipos de soldadura, SAI y controladores de motores industriales.

Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT.