STPSC10H12G-TR | Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, TO-263
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Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, TO-263
Fabricado por: Stmicroelectronics
Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV Corriente Directa Continua If: 10A
Tags: Semiconductores - Discretos, Diodos, Diodos Schottky, Diodos Schottky de Carburo de Silicio.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 1 000 |
| Precio unitario | 2,532€ |
| Stock (packs) | 1000 |
| Entrega | 7 días |