STPSC8H065BY-TR | Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 650 V, 8 A, 23.5 nC, TO-252
1 variante disponible.
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Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Único, 650 V, 8 A, 23.5 nC, TO-252
Fabricado por: Stmicroelectronics
Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V Corriente Directa Continua If: 8A
Tags: Semiconductores - Discretos, Diodos, Diodos Schottky, Diodos Schottky de Carburo de Silicio.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 1.000 |
| Precio unitario | 1,358€ |
| Stock (packs) | 101 |
| Entrega | 7 días |