Si2319DDS-T1-GE3 | MOSFET, Si2319DDS-T1-GE3, P-Canal, 3,6 A, 40 V, 3-Pin, SOT-23 TrenchFET Simple Si
1 variante disponible.
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MOSFET, Si2319DDS-T1-GE3, P-Canal, 3,6 A, 40 V, 3-Pin, SOT-23 TrenchFET Simple Si
Fabricado por: Vishay Siliconix
Tags: Semiconductores, Semiconductores Discretos, MOSFET.
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 3.000 |
| Precio unitario | 0,133€ |
| Entrega | >30 días |