1 variante disponible.
          
        Fabricado por: Diodes Inc.
Polaridad de Transistor: NPN, PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 30V Disipación de Potencia Pd: 1.1W
Tags: Semiconductores - Discretos, Transistores, Transistores Bipolares, Arrays de Transistores de Unión Bipolar (BJT).
      
    
| Entrega y precio | |
|---|---|
| Unidades/pack | 5 000 | 
| Precio unitario | 0,227€ | 
| Stock (packs) | 4308 | 
| Entrega | 7 días |