Fabricado por: Analog Devices

Interruptores de RF

Circuito Interruptor de RF, SP4T, No Reflexivo, DC a 8 GHz, -5.5 V a -4.5 V, QFN-16

Frecuencia Mínima: 0Hz Frecuencia Máxima: 8GHz Encapsulado de Circuito RF: QFN

Fabricado por: Analog Devices

Interruptores de RF

Interruptor de RF, SP4T, No Reflexivo, DC a 12 GHz, Decodificador TTL 2:4, -5.5 V a -4.5 VDC, SMD-12

Frecuencia Mínima: 0Hz Frecuencia Máxima: 12GHz Encapsulado de Circuito RF: SMD

Fabricado por: Analog Devices

Interruptores de RF

Interruptor de RF, SP4T, No Reflexivo, DC a 8 GHz, Decodificador TTL 2:4, 4.5 V a 5.5 V, QFN-16

Frecuencia Mínima: 0Hz Frecuencia Máxima: 8GHz Encapsulado de Circuito RF: QFN

Fabricado por: Analog Devices

Interruptores de RF

Interruptor de RF, SP4T, No Reflexivo, DC a 8 GHz, Decodificador TTL 2:4, 4.5 V a 5.5 V, HVQFN-16

Frecuencia Máxima: 8GHz Encapsulado de Circuito RF: HVQFN Número de Pines: 16Pines

Fabricado por: Analog Devices

Interruptores de RF

Circuito Interruptor de RF, SPDT, No Reflexivo, DC a 14 GHz, -5.5 V a -4.5 V, HVQFN-16

Frecuencia Máxima: 14GHz Encapsulado de Circuito RF: HVQFN Número de Pines: 16Pines

Fabricado por: Analog Devices

Circuitos de Conmutación para RF

Circuito de encendido de RF HMC349AMS8GE,, 42dB aislamiento Mini-SO 8 pines 4GHz

The HMC349AMS8G is a gallium arsenide (GaAs), pseudo-morphic high electron mobility transistor (PHEMT), single-pole, double throw (SPDT) switch specified from 100 MHz to 4 GHz. The HMC349AMS8G is well suited for cellular infrastructure applications by yielding high isolation of 57 dB, low insertion loss of 0.9 dB, high input IP3 of 52 dBm, and high input P1dB of 34 dBm. The HMC349AMS8G operates with a single positive supply voltage from 3 V to 5 V …

Fabricado por: Analog Devices

Amplificadores de RF

Amplificador RF, HBT, Ganancia 15 dB / Ruido 3.5 dB, 4 GHz a 10 GHz, Suministro 5 V / 60 mA, QFN-12

Frecuencia Mínima: 4GHz Frecuencia Máxima: 10GHz Ganancia: 15dB

Fabricado por: Analog Devices

Divisores de Frecuencia

Divisor de frecuencia de RF HMC361S8GE, 10GHz SOIC 8-Pin

Fabricado por: Analog Devices

Circuitos Prescalers

Divisor de frecuencia de RF HMC362S8GE, 12GHz SOIC 8-Pin

Fabricado por: Analog Devices

Divisores de Frecuencia

Divisor de frecuencia de RF HMC363S8GE, 12GHz SOIC 8-Pin

Fabricado por: Analog Devices

Función Especial

MMIC HBT GaAs, Divide por 8, DC a 12 GHz, 4.75 V a 5.25 V, SOIC-8

Función del Circuito Integrado: Divisor de Frecuencia RF Tensión de Alimentación Mín.: 4.75V Tensión de Alimentación Máx.: 5.25V

Fabricado por: Analog Devices

Amplificadores RF Integrados

Amplificador de RF HMC3653LP3BE, 15 dB 1-Canales 15 GHz LFCSP, 12-Pines

Gain block amplifiers are used in industrial applications, wireless infrastructure, aerospace and defense. Analog Devices offer a large family of Gain Block amplifiers covering DC to 15 GHz (IF to RF microwave). The devices are internally matched to 50 ohms at the input and output for ease of use. These gain block amplifiers have output power ranging from 5 dBm up to approximately 1 watt while covering various bandwidths and gain levels. All Analog Devices …

Fabricado por: Analog Devices

Multiplicadores / Mezcladores de RF

Mezclador RF, Duplicador MMIC, 9GHz a 16 GHz, 4.5V a 5.5V, QFN-16

Frecuencia Mínima: 9GHz Frecuencia Máxima: 16GHz Tensión de Alimentación Mín.: 4.5V

Fabricado por: Analog Devices

Multiplicadores / Mezcladores de RF

Mezclador/Multiplicador RF, 9.9GHz a 12,7 GHz, 4.5V a 5.5V, QFN-16

Frecuencia Mínima: 9.9GHz Frecuencia Máxima: 12.7GHz Tensión de Alimentación Mín.: 4.5V

Fabricado por: Analog Devices

Multiplicadores / Mezcladores de RF

Circuito Multiplicador de Frecuencia de RF, 4.5 V a 5.5 V, 14.4 GHz a 16.4 GHz, QFN-24

Frecuencia Mínima: 14.4GHz Frecuencia Máxima: 16.4GHz Tensión de Alimentación Mín.: 4.5V