Mostrando 25274 resultados para Bt.

SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
FD400R07PE4R_B6
FD400R07PE4R_B6

Fabricado por: Infineon

IGBTs & Modules

IGBT2315

IGBT 650V 400A EconoPACK4

Precio unitario: 196,115€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
FD400R12KE3
FD400R12KE3

Fabricado por: Infineon

High Power Modules

IGBT2941

IGBT-MOD 1200V 400A CHOP 62mm

Precio unitario: 201,314€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
FD600R17KE3_B2
FD600R17KE3_B2

Fabricado por: Infineon

High Power Modules

IGBT2292

IGBT Brake-Chop 1700V 950A IHM

Precio unitario: 1,185,477€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
FD800R17KE3_B2
FD800R17KE3_B2

Fabricado por: Infineon

High Power Modules

IGBT2408

IGBT Brake-Chop 1700V 1200A...

Precio unitario: 1,341,432€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
FES16BT
FES16BT

Fabricado por: VISHAY

Diodos universales THT

Diodo: rectificador; THT; 100V; 16A; tubo; Ifsm: 250A; TO220AC; 35ns

Precio unitario: 0,504€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FES16BT-E3/45
FES16BT-E3/45

Fabricado por: Vishay

Diodos Schottky y Rectificadores

Diodo, FES16BT-E3/45, 16A, 100V, 35ns, TO-220AC, 2-Pines, Conexión de silicio

Precio unitario: 0,900€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: Sí
FES8BT-E3/45
FES8BT-E3/45

Fabricado por: Vishay

Diodo de Conmutación

Diodo de conmutación, FES8BT-E3/45 Conexión de silicio, TO-220AC, 2-Pines 950mV

- Precio unitario: 0,654€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FESB16BT-E3/45
FESB16BT-E3/45

Fabricado por: Vishay

Diodos Schottky y Rectificadores

Diodo, FESB16BT-E3/45, Conmutación, 16A, 100V, 35ns, D2PAK (TO-263), 3-Pines, Conexión de silicio

Otros nombres: Diodo: rectificador; SMD; 100V; 16A; 35ns; Empaquetado: tubo; D2PAK.

Precio unitario: 1,096€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
FF1000R17IE4
FF1000R17IE4

Fabricado por: Infineon

High Power Modules

IGBT1552

2-IGBT 1700V 1000A PrimePACK3

Precio unitario: 740,556€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FF1000R17IE4BOSA1
FF1000R17IE4BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 1.39 kA, 2 V, 6.25 kW, 1.7 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 1.39kA Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V

Otros nombres: Módulo IGBT, FF1000R17IE4BOSA1, N-Canal, 1 kA, 1.700 V, PrimePACK3, 10-Pines Serie, Módulo IGBT, FF1000R17IE4BOSA1, N-Canal, 1 kA, 1700 V, PrimePACK3, 10-Pines Serie.

Precio unitario: 562,600€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FF1000R17IE4D_B2
FF1000R17IE4D_B2

Fabricado por: Infineon

High Power Modules

IGBT1583

2-IGBT 1700V 1000A...

Precio unitario: 856,316€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
FF100R12KS4HOSA1
FF100R12KS4HOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 150 A, 3.2 V, 780 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 150A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 3.2V

Precio unitario: 71,644€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 7
FF100R12RT4
FF100R12RT4

Fabricado por: Infineon

High Power Modules

IGBT1664

Dual-IGBT 1200V 100A 34mm

Precio unitario: 104,624€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
FF100R12RT4HOSA1
FF100R12RT4HOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.75 V, 555 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.75V

Otros nombres: Módulo IGBT, FF100R12RT4HOSA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, AG-34MM-1 Serie.

Precio unitario: 42,641€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 18
FF11MR12W1M1_B11
FF11MR12W1M1_B11

Fabricado por: Infineon

High Power Modules

IGBT2218

CoolSiC-Mod 1200V 11mOhm...

Precio unitario: 209,355€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí