Mostrando 25274 resultados para Bt.

SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
FQNL2N50BTA
FQNL2N50BTA

Fabricado por: On Semiconductor

MOSFET

MOSFET, FQNL2N50BTA, N-Canal-Canal, 350 mA, 500 V, 3-Pin, TO-92L QFET Simple Si

- Precio unitario: 0,164€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FR900R12IP4D
FR900R12IP4D

Fabricado por: Infineon

High Power Modules

IGBT2774

Dual-IGBT 1200V 900A PrimePACK

Precio unitario: 1,383,385€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
FRDM-GD3100EVM
FRDM-GD3100EVM

Fabricado por: Placa de Evaluación, Controlador de Puerta IGBT GD3100, Medio Puente, Placa KL25Z Freedom

Kits de Desarrollo para Aplicaciones Especiales

Placa de Evaluación, Controlador de Puerta IGBT GD3100, Medio Puente, Placa KL25Z Freedom

- Precio unitario: 168,353€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FRDM33771BTPLEVB
FRDM33771BTPLEVB

Fabricado por: Nxp

Kits de Desarrollo para Gestión de Baterías

Placa de Desarrollo, Controlador de Celda de Batería MC33772, 6 Canales, Li-Ion

Tipo de Aplicación de Kit: Adminsitración de Potencia - Batería Subtipo de Aplicación: Controlador de Celda de Batería Número del Núcleo de Silicio: MC33771B

Precio unitario: 78,454€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 3
FRDM33772BTPLEVB
FRDM33772BTPLEVB

Fabricado por: Nxp

Kits de Desarrollo para Gestión de Baterías

Placa de Evaluación, Control Batería MC33772, 6 Canal, Li-Ion, Comunicación Cadena Margarita Aislada

Tipo de Aplicación de Kit: Adminsitración de Potencia - Batería Subtipo de Aplicación: Controlador de Celda de Batería Li-Ion Número del Núcleo de Silicio: MC33772B

Precio unitario: 79,262€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 2
FRDMGD3100HBIEVM
FRDMGD3100HBIEVM

Fabricado por: Placa de Evaluación, Controlador de Puerta IGBT GD3100, Medio Puente, Módulos IGBT HybridPACK

Kits de Desarrollo para Aplicaciones Especiales

Placa de Evaluación, Controlador de Puerta IGBT GD3100, Medio Puente, Módulos IGBT HybridPACK

- Precio unitario: 253,868€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FS100R06KE3
FS100R06KE3

Fabricado por: Infineon

High Power Modules

IGBT2751

IGBT-MOD 1200V 100A EconoPACK3

Precio unitario: 161,098€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
FS100R06KE3BOSA1
FS100R06KE3BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.45 V, 335 W, 600 V, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.45V

Precio unitario: 89,609€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 6
FS100R07N2E4
FS100R07N2E4

Fabricado por: Infineon

IGBTs & Modules

IGBT2905

6-PACK IGBT 650V 100A ECONO2

Otros nombres: IGBT3084.

- Precio unitario: 85,292€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
FS100R07N2E4B11BOSA1
FS100R07N2E4B11BOSA1

Fabricado por: Infineon

IGBT

Módulo IGBT, FS100R07N2E4B11BOSA1, N-Canal, 100 A, 650 V, ECONO2, 25-Pines, 1MHZ Trifásico

- Precio unitario: 60,490€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FS100R07PE4
FS100R07PE4

Fabricado por: Infineon

High Power Modules

IGBT2303

IGBT 650V 100A EconoPACK4

Precio unitario: 154,667€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
FS100R07PE4BOSA1
FS100R07PE4BOSA1

Fabricado por: Infineon

Módulos IGBT

Módulo IGBT, FS100R07PE4BOSA1, Puente trifásico, 100 A, 650 V, N-Canal, ECONO4, 20-Pines

La gama de Infineon gama de módulos IGBT ofrece una baja pérdida de conmutación para conmutar frecuencias de hasta 60 Khz. Los IGBT abarcan varios módulos de potencia, como los encapsulados ECONOPACK con tensión del emisor de colector a 1200 V módulos de medio puente PrimePACK IGBT con NTC de hasta 1600/1700 V. Los IGBT PrimePACK se pueden usar en aplicaciones industriales, comerciales, de la construcción y de vehículos agrícolas. Los módulos IGBT del canal …

Precio unitario: 95,174€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: Sí
FS100R12KE3
FS100R12KE3

Fabricado por: Infineon

High Power Modules

IGBT1647

SIXPACK 1200V 100A EconoPACK3

Precio unitario: 213,740€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
FS100R12KE3BOSA1
FS100R12KE3BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 140 A, 1.7 V, 480 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 140A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V

Precio unitario: 128,040€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 40
FS100R12KS4
FS100R12KS4

Fabricado por: Infineon

High Power Modules

IGBT2080

SIXPACK 1200V 100A EconoPACK3

Precio unitario: 489,696€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí