Mostrando 1421 resultados para Diodes Inc..
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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DMMT3904W |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, Doble, NPN, 40 V, 200 mW, 200 mA, 100 hFE, SOT-363 Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 200mW |
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Precio unitario: 0,087€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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DMMT3904W-7-F |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN Doble, 40 V, 200 mW, 200 mA, 100 hFE, SOT-363 Polaridad de Transistor: NPN Doble Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 40V Disipación de Potencia Pd: 200mW
Otros nombres: Transistor, DMMT3904W-7-F, NPN 200 mA 40 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines, 300 MHz, Aislado.
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Precio unitario: 0,100€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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DMMT3906W-7-F |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, Doble, PNP, -40 V, 200 mW, -200 mA, 100 hFE, SOT-363 Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -40V Disipación de Potencia Pd: 200mW
Otros nombres: Transistor, DMMT3906W-7-F, PNP 200 mA 40 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines, 250 MHz, Aislado.
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Precio unitario: 0,080€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1490 |
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DMMT5401-7-F |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, PNP, -150 V, 300 mW, -200 mA, 60 hFE, SOT-26 Polaridad de Transistor: PNP Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: -150V Disipación de Potencia Pd: 300mW
Otros nombres: Transistor, DMMT5401-7-F, PNP 200 mA 150 V Dual SOT-26, 6 pines, 300 MHz, Aislado.
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Precio unitario: 0,076€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4557 |
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DMMT5551-7-F |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, NPN, 160 V, 300 mW, 200 mA, 80 hFE, SOT-26 Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 160V Disipación de Potencia Pd: 300mW
Otros nombres: Transistor, DMMT5551-7-F, NPN 200 mA 160 V HFE:30 Dual SOT-26, 6 pines, 300 MHz,.
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Precio unitario: 0,070€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2397 |
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DMMT5551S |
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Fabricado por:
Array de Transistores Bipolares, Doble, NPN, 160 V, 300 mW, 200 mA, 80 hFE, SOT-26 Polaridad de Transistor: NPN Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo: 160V Disipación de Potencia Pd: 300mW |
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Precio unitario: 0,092€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2704 |
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DMN100-7-F |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 1.1 A, 30 V, 0.24 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, DMN100-7-F, N-Canal, 1,1 A, 30 V, 3-Pin, SOT-346 (SC-59).
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Precio unitario: 0,172€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1547 |
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DMN1019USN-13 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 9.3 A, 12 V, 0.007 ohm, 4.5 V, 530 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 9.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 12V
Otros nombres: TMOS1109.
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Precio unitario: 0,116€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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DMN1019USN-7 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 9.3 A, 12 V, 0.007 ohm, 4.5 V, 800 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 9.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 12V
Otros nombres: MOSFET, DMN1019USN-7, N-Canal-Canal, 11 A, 12 V, 3-Pin, SOT-346 (SC-59) Simple Si.
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Precio unitario: 0,090€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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DMN10H220L-7 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 1.4 A, 100 V, 0.22 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, DMN10H220L-7, N-Canal-Canal, 1,6 A, 100 V, 3 + Tab-Pin, SOT-23 Simple Si.
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Precio unitario: 0,109€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3000 |
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DMN10H700S-7 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 700 mA, 100 V, 0.54 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 700mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: TMOS6323.
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Precio unitario: 0,056€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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DMN2004DWK-7 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, AEC-Q101, Canal N Doble, 540 mA, 20 V, 0.4 ohm, 4.5 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 540mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, DMN2004DWK-7, Dual, N-Canal-Canal, 540 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88) Aislado Si.
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Precio unitario: 0,109€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1220 |
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DMN2004K-7 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 540 mA, 20 V, 0.55 ohm, 4.5 V, 1.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 540mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, DMN2004K-7, N-Canal-Canal, 630 mA, 20 V, 3-Pin, SOT-23 Simple Si.
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Precio unitario: 0,053€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4102 |
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DMN2011UFDF-7 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 11.7 A, 20 V, 0.0065 ohm, 4.5 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 11.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, DMN2011UFDF-7, N-Canal-Canal, 14,2 A, 20 V, 6-Pin, U-DFN2020 DMN2011UFDF Simple.
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Precio unitario: 0,120€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2801 |
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DMN2020LSN-7 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6.9 A, 20 V, 0.013 ohm, 4.5 V, 1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, DMN2020LSN-7, N-Canal-Canal, 6,9 A, 20 V, 3-Pin, SOT-346 (SC-59) Simple Si.
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Precio unitario: 0,102€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4820 |