Mostrando 16019 resultados para Eon.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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BSC100N03MSGATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 44 A, 30 V, 0.0083 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 44A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,182€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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BSC100N06LS3 G |
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Fabricado por:
N-CH 60V 50A 10.0mOhm TDSON-8 |
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Precio unitario: 0,481€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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BSC100N06LS3GATMA1 |
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Fabricado por:
MOSFET, BSC100N06LS3GATMA1, N-Canal-Canal, 50 A, 60 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 3 Simple Si
Otros nombres: MOSFET, BSC100N06LS3GATMA1, N-Canal-Canal, 50 A, 60 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 3 Simple, Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 60 V, 0.0078 ohm, 10 V, 1.7 V.
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Precio unitario: 0,729€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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BSC100N10NSFGATMA1 |
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Fabricado por:
MOSFET, BSC100N10NSFGATMA1, N-Canal, 90 A, 100 V, 8-Pin, TDSON La familia de canal N OptiMOS™2 de Infineon ofrece la resistencia en funcionamiento más baja dentro de su grupo de tensión. La serie Power MOSFET se puede utilizar en muchas aplicaciones, entre las que se incluyen proyectos de alta frecuencia de telecomunicaciones, comunicación de datos, energía solar, unidades de baja tensión y fuentes de alimentación para servidores. La familia de productos OptiMOS 2 abarca tensiones de 20 V en adelante y ofrece una selección de … |
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Precio unitario: 1,767€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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BSC105N10LSFGATMA1 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 1,445€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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BSC109N10NS3 G |
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Fabricado por:
N-CH 100V 63A 10.9mOhm TDSON-8 |
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Precio unitario: 0,786€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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BSC109N10NS3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 63 A, 100 V, 0.0098 ohm, 10 V, 2.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 63A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 78W; PG-TDSON-8.
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Precio unitario: 0,505€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 13519 |
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BSC110N06NS3 G |
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Fabricado por:
N-CH 60V 50A 11mOhm TDSON-8 |
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Precio unitario: 0,460€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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BSC110N06NS3GATMA1 |
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Fabricado por:
MOSFET, BSC110N06NS3GATMA1, N-Canal-Canal, 50 A, 60 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 3 Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 60 V, 0.009 ohm, 10 V, 3 V.
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Precio unitario: 0,290€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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BSC110N15NS5 |
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Fabricado por:
N-CH 150V 76A 11mOhm SuperSO8 |
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Precio unitario: 1,688€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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BSC110N15NS5ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 76 A, 150 V, 0.009 ohm, 10 V, 3.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 76A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 2,153€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 13643 |
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BSC110N15NS5SC |
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Fabricado por:
N-CH 150V 77A 11mOhm WSON-8 |
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Precio unitario: N/D Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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BSC112N06LD |
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Fabricado por:
Dual N-CH 60V 20A 9,5mOhm |
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Precio unitario: 0,799€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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BSC117N08NS5 |
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Fabricado por:
N-CH 80V 50A 11mOhm SuperSO8 |
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Precio unitario: 0,635€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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BSC117N08NS5ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 49 A, 80 V, 0.0096 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 49A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V
Otros nombres: MOSFET, BSC117N08NS5ATMA1, N-Canal-Canal, 49 A, 80 V, 8-Pin, SuperSO8 5x6 OptiMOS 5.
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Precio unitario: 0,447€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 16879 |