Mostrando 16019 resultados para Eon.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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BSC886N03LSGATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 65 A, 30 V, 0.005 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 65A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,194€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4906 |
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BSC900N20NS3 G |
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Fabricado por:
N-CH 200V 15,2A 90mOhm TDSON8 |
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Precio unitario: 0,773€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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BSC900N20NS3GATMA1 |
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Fabricado por:
MOSFET, BSC900N20NS3GATMA1, N-Canal-Canal, 15,2 A, 200 V, 8-Pin, TDSON OptiMOS 3 Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 15.2 A, 200 V, 0.077 ohm, 10 V, 3 V.
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Precio unitario: 1,092€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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BSD214SNH6327XTSA1 |
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Fabricado por:
MOSFET, BSD214SNH6327XTSA1, N-Canal-Canal, 1,5 A, 20 V, 6-Pin, SOT-363 OptiMOS 2 |
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Precio unitario: 0,044€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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BSD223P H6327 |
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Fabricado por:
P+P CH.MOS-FET 0,39A 20V... |
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Precio unitario: 0,070€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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BSD223PH6327XTSA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -390 mA, -20 V, 0.7 ohm, -4.5 V, -900 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -390mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,058€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 22633 |
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BSD235C H6327 |
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Fabricado por:
N+P CHAN. 0,95/0,53A 20V... |
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Precio unitario: 0,097€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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BSD235CH6327XTSA1 |
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Fabricado por:
Otros nombres: MOSFET Doble, Resistencias de Polarización Integradas (BRT), Complemento N y P, 950 mA, 20 V.
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Precio unitario: 0,084€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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BSD235N H6327 |
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Fabricado por:
N+N CHAN. 0,95A 20V SOT363 |
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Precio unitario: 0,097€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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BSD235NH6327XTSA1 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 950 mA, 20 V, 0.266 ohm, 4.5 V, 950 mV Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 950mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, BSD235NH6327XTSA1, Dual, N-Canal-Canal, 950 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88) OptiMOS 2 Aislado Si.
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Precio unitario: 0,074€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 33234 |
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BSD314SPEH6327XTSA |
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Fabricado por:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1,5A; 0,5W; PG-SOT-363 |
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Precio unitario: 0,054€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 2686 |
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BSD314SPEH6327XTSA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -1.5 A, 30 V, 0.107 ohm, -10 V, -1.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -1.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,160€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 8708 |
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BSD316SN H6327 |
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Fabricado por:
N-CH 30V 1,4A 120mOhm SOT-363 |
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Precio unitario: 0,068€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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BSD316SNH6327XTSA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 1.4 A, 30 V, 0.12 ohm, 10 V, 1.6 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,140€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 36845 |
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BSD816SNH6327XTSA1 |
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Fabricado por:
MOSFET, BSD816SNH6327XTSA1, N-Canal, 1,4 A, 20 V, 6-Pin, SOT-363 (SC-88) La familia de canal N OptiMOS™2 de Infineon ofrece la resistencia en funcionamiento más baja dentro de su grupo de tensión. La serie Power MOSFET se puede utilizar en muchas aplicaciones, entre las que se incluyen proyectos de alta frecuencia de telecomunicaciones, comunicación de datos, energía solar, unidades de baja tensión y fuentes de alimentación para servidores. La familia de productos OptiMOS 2 abarca tensiones de 20 V en adelante y ofrece una selección de … |
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Precio unitario: 0,048€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |