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SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
FF200R12KT3HOSA1
FF200R12KT3HOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 295A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V

Precio unitario: 87,397€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 10
FF200R12KT4
FF200R12KT4

Fabricado por: Infineon

High Power Modules

IGBT1535

Dual-IGBT 1200V 200A 62mm

Otros nombres: Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 200A.

Precio unitario: 136,867€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FF200R12KT4HOSA1
FF200R12KT4HOSA1

Fabricado por: Infineon

IGBT

Módulo IGBT, FF200R12KT4HOSA1, N-Canal, 320 A, 1.200 V, Módulo 62MM, 3-Pines Serie

Otros nombres: Transistor IGBT Arrays y Módulos, NPN Doble, 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 1.2 kV, Module.

- Precio unitario: 80,546€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FF200R17KE3
FF200R17KE3

Fabricado por: Infineon

High Power Modules

IGBT2712

DUAL-IGBT-MODUL 1700V 200A...

Precio unitario: 193,011€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
FF200R17KE3HOSA1
FF200R17KE3HOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 310 A, 2 V, 1.25 kW, 1.7 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 310A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 2V

Precio unitario: 117,370€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 53
FF200R17KE4
FF200R17KE4

Fabricado por: INFINEON TECHNOLOGIES

Módulos IGBT

Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT; Ic: 200A

Otros nombres: IGBT3112.

Precio unitario: 114,460€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: 4
FF200R17KE4HOSA1
FF200R17KE4HOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, NPN Doble, 310 A, 1.95 V, 1.25 kW, 1.7 kV, Module

Polaridad de Transistor: NPN Doble Corriente de Colector DC: 310A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V

Precio unitario: 94,119€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FF200R33KF2C
FF200R33KF2C

Fabricado por: Infineon

IGBTs & Modules

IGBT2350

Dual-IGBT 3300V 200A IHV A

Precio unitario: 1,099,990€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
FF225R12ME4
FF225R12ME4

Fabricado por: Infineon

High Power Modules

IGBT2576

2-IGBT 1200V 225A EconoDUAL3

Otros nombres: IGBT3018.

Precio unitario: 155,772€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
FF225R12ME4B11BPSA1
FF225R12ME4B11BPSA1

Fabricado por: Infineon

Módulos IGBT

Módulo IGBT, FF225R12ME4B11BPSA1, Serie, 320 A, 1.200 V, N-Canal, ECONOD, 11-Pines Serie

La gama de Infineon gama de módulos IGBT ofrece una baja pérdida de conmutación para conmutar frecuencias de hasta 60 Khz. Los IGBT abarcan varios módulos de potencia, como los encapsulados ECONOPACK con tensión del emisor de colector a 1200 V módulos de medio puente PrimePACK IGBT con NTC de hasta 1600/1700 V. Los IGBT PrimePACK se pueden usar en aplicaciones industriales, comerciales, de la construcción y de vehículos agrícolas. Los módulos IGBT del canal …

Otros nombres: Módulo IGBT, FF225R12ME4B11BPSA1, Serie, 320 A, 1.200 V, N-Canal, ECONOD, 11-Pines.

Precio unitario: 95,404€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
FF225R12ME4BOSA1
FF225R12ME4BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 320 A, 1.85 V, 1.05 kW, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 320A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.85V

Precio unitario: 90,210€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FF225R12ME4_B11
FF225R12ME4_B11

Fabricado por: Infineon

IGBTs & Modules

IGBT1542

2-IGBT 1200V 225A...

Precio unitario: 107,971€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
FF225R17ME4
FF225R17ME4

Fabricado por: Infineon

High Power Modules

IGBT2009

2-IGBT 1700V 225A EconoDUAL3

Precio unitario: 199,578€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FF225R17ME4BOSA1
FF225R17ME4BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 340 A, 1.95 V, 1.5 kW, 1.7 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 340A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.95V

Precio unitario: 117,370€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FF225R17ME4_B11
FF225R17ME4_B11

Fabricado por: Infineon

IGBTs & Modules

IGBT2300

IGBT 1700V 225A EconoDUAL3

Precio unitario: 138,332€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí