Mostrando 16019 resultados para Eon.

SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
FS55MR12W1M1H_B11
FS55MR12W1M1H_B11

Fabricado por: Infineon

High Power Modules

POWMOD1308

CoolSiC-MOD 1200V 15A...

- Precio unitario: 76,310€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
FS600R07A2E3_B31
FS600R07A2E3_B31

Fabricado por: Infineon

IGBTs & Modules

IGBT1893

3PH-MODUL 650V 600A...

- Precio unitario: 707,916€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
FS600R07A2E3_B32
FS600R07A2E3_B32

Fabricado por: Infineon

IGBTs & Modules

IGBT1585

3PH-MODUL 650V 400A...

Precio unitario: 707,916€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FS650R08A4P2
FS650R08A4P2

Fabricado por: Infineon

High Power Modules

IGBT2843

IGBT-MOD 750V 650A HybridPACK

Precio unitario: 491,305€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
FS660R08A6P2FB
FS660R08A6P2FB

Fabricado por: Infineon

High Power Modules

IGBT2684

3PH-MODUL 750V 660A HybridPACK

Precio unitario: 491,790€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
FS660R08A6P2FLB
FS660R08A6P2FLB

Fabricado por: Infineon

High Power Modules

IGBT2685

3PH-MODUL 750V 660A HybridPACK

Precio unitario: 501,248€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
FS75R06KE3
FS75R06KE3

Fabricado por: Infineon

High Power Modules

IGBT3100

6-PACK 650V 75A EasyPack

Otros nombres: Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT x2; 250W.

Precio unitario: 104,605€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FS75R07W2E3B11ABOMA1
FS75R07W2E3B11ABOMA1

Fabricado por: Infineon

Módulos IGBT

Módulo IGBT, FS75R07W2E3B11ABOMA1, Colector común, 95 A, 650 V, N-Canal, EASY2B, 37-Pines

La gama de Infineon gama de módulos IGBT ofrece una baja pérdida de conmutación para conmutar frecuencias de hasta 60 Khz. Los IGBT abarcan varios módulos de potencia, como los encapsulados ECONOPACK con tensión del emisor de colector a 1200 V módulos de medio puente PrimePACK IGBT con NTC de hasta 1600/1700 V. Los IGBT PrimePACK se pueden usar en aplicaciones industriales, comerciales, de la construcción y de vehículos agrícolas. Los módulos IGBT del canal …

Otros nombres: Módulo IGBT, FS75R07W2E3B11ABOMA1, Colector común, 95 A, 650 V, N-Canal, EASY2B, 37-Pines Trifásico.

Precio unitario: 43,117€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: Sí
FS75R07W2E3_B11A
FS75R07W2E3_B11A

Fabricado por: Infineon

High Power Modules

IGBT2441

6-PACK 650V 75A EasyPack

Precio unitario: 56,687€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FS75R12KE3
FS75R12KE3

Fabricado por: INFINEON TECHNOLOGIES

Módulos IGBT

Módulo: IGBT; transistor/transistor; puente trifásico IGBT; 350W

Otros nombres: IGBT1648.

Precio unitario: 97,970€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FS75R12KE3BOSA1
FS75R12KE3BOSA1

Fabricado por: Infineon

IGBT

Módulo IGBT, FS75R12KE3BOSA1, N-Canal, 105 A, 1.200 V, EconoPACK 2, 28-Pines Trifásico

Otros nombres: Módulo IGBT, FS75R12KE3BOSA1, N-Canal, 105 A, 1.200 V, EconoPACK2, 28-Pines Trifásico, Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 105 A, 1.7 V, 20 mW, 1.2 kV, Module.

- Precio unitario: 89,601€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
FS75R12KE3GBOSA1
FS75R12KE3GBOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.7 V, 355 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V

Otros nombres: Módulo IGBT, FS75R12KE3GBOSA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, ECONO3, 35-Pines, 1MHZ Trifásico, Módulo IGBT, FS75R12KE3GBOSA1, N-Canal, 100 A, 1.200 V, Econo3, 35-Pines, 1MHZ Trifásico.

Precio unitario: 94,517€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 15
FS75R12KT3
FS75R12KT3

Fabricado por: Infineon

High Power Modules

POWMOD1343

IGBT 1200V 75A 1,7V...

Precio unitario: 150,622€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
FS75R12KT3BOSA1
FS75R12KT3BOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 105 A, 1.7 V, 355 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 105A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V

Precio unitario: 87,416€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 5
FS75R12KT3GBOSA1
FS75R12KT3GBOSA1

Fabricado por: Infineon

Arrays y Módulos IGBT

Transistor IGBT Arrays y Módulos, Canal N, 100 A, 1.7 V, 355 W, 1.2 kV, Module

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Colector DC: 100A Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on): 1.7V

Precio unitario: 97€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí