Mostrando 16019 resultados para Eon.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IDH09G65C5 |
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Fabricado por:
SiC-Diode 9A 650V 1,7V TO220-2
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 650V; 9A; 82W.
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Precio unitario: 2,716€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IDH09SG60C |
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Fabricado por:
S-Diode 600V 9A 2.30V TO220-2
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 600V; 9A; 115W.
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Precio unitario: 1,979€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IDH10G120C5 |
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Fabricado por:
SiC-Diode 1200V 10A 1,8V TO220 |
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Precio unitario: 5,187€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IDH10G120C5XKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 10A
Otros nombres: Diodo Schottky de Carburo de Silicio, thinQ Series, Único, 1.2 kV, 31.9 A, 41 nC, TO-220, Diodo, IDH10G120C5XKSA1, 31.9A, 1200V Schottky SiC, TO-220, 2 + Tab-Pines 2.6V, Schottky SiC.
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Precio unitario: 2,997€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IDH10G65C5 |
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Fabricado por:
S-Diode 650V 10A 1,7V TO220-2
Otros nombres: DSKY4951, Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 650V; 10A; 89W.
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Precio unitario: 1,639€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IDH10G65C5XKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 5G 650V, Único, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-220 Rango de Producto: Serie thinQ 5G 650V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 650V; 10A; 89W.
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Precio unitario: 2,755€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IDH10G65C5XKSA2 |
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Fabricado por:
Diodo, IDH10G65C5XKSA2, 10A, 650V, TO-220, 2-Pines La gama Infineon thinQ!™ de 5 generación ofrece una nueva tecnología de oblea fina para diodos de barrera Schottky de SiC que mejora las características térmicas. Los dispositivos de diodo Schottky de SiC ofrecen características de semiconductores de potencia de alta tensión ventajosas como mayor intensidad de campo de ruptura y conductividad térmica mejorada, lo que permite mayor niveles de eficiencia. Esta última generación es adecuada para su uso en telecomunicaciones SMPS y servidores de … |
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Precio unitario: 4,227€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IDH10G65C6 |
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Fabricado por:
SiC-Diode 10A 650V 1,25V TO220
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 650V; 10A; 72W.
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Precio unitario: 2,357€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IDH10G65C6 NPI |
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Fabricado por:
SiC-Diode 10A 650V 1,25V... |
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Precio unitario: 2,522€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IDH10G65C6XKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, CoolSiC 6G 650V Series, Único, 650 V, 24 A, 14.7 nC, TO-220 Rango de Producto: CoolSiC 6G 650V Series Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 650V |
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Precio unitario: 1,940€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 552 |
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IDH10S120AKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 2G 1200V, Simple, 1.2 kV, 10 A, 36 nC, TO-220 Rango de Producto: Serie thinQ 2G 1200V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV |
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Precio unitario: 8,016€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 11 |
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IDH10S60C |
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Fabricado por:
S-Diode 600V 10A 2.10V... |
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Precio unitario: 2,648€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IDH10S60CAKSA1 |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie thinQ 2G 600V, Simple, 600 V, 10 A, 24 nC, TO-220 Rango de Producto: Serie thinQ 2G 600V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 600V |
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Precio unitario: 2,600€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IDH10SG60C |
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Fabricado por:
S-Diode 600V 10A 2.10V... |
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Precio unitario: 2,115€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IDH12G65C5 |
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Fabricado por:
SiC-DIOD. 650V 12A 1.5V...
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 650V; 12A; 104W.
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Precio unitario: 2,648€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |