Mostrando 16019 resultados para Eon.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IPD053N08N3 G |
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Fabricado por:
N-CH 80V 90A 4,4mOhm TO252-3
Otros nombres: TMOS2526.
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Precio unitario: 0,780€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IPD053N08N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 90 A, 80 V, 0.0044 ohm, 10 V, 2.8 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 90A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V
Otros nombres: MOSFET, IPD053N08N3GATMA1, N-Canal-Canal, 90 A, 80 V, 3 + 2 Tab-Pin, TO-252 IPD053N08N3 G Simple.
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Precio unitario: 0,800€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5918 |
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IPD055N08NF2S |
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Fabricado por:
NCH 80V 98A 5,5mOhm TO252 |
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Precio unitario: 0,809€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IPD060N03L G |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 30 V, 0.005 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,286€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1630 |
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IPD060N03LGATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 30 V, 0.005 ohm, 10 V, 2.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: MOSFET, IPD060N03LGATMA1, N-Canal-Canal, 50 A, 30 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 0,253€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 164 |
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IPD068N10N3 G |
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Fabricado por:
N-CH 100V 90A 6,8mOhm TO252-3
Otros nombres: TMOSP10872.
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Precio unitario: 1,203€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPD068N10N3GATMA1 |
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Fabricado por:
MOSFET, IPD068N10N3GATMA1, N-Canal-Canal, 90 A, 100 V, 3 + 2 Tab-Pin, TO-252 IPD068N10N3 G Simple
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 90 A, 100 V, 0.0057 ohm, 10 V, 2.7 V.
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Precio unitario: 0,819€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPD068P03L3 G |
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Fabricado por:
P-CH 30V 70A 5mOhm TO252-3 |
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Precio unitario: 0,616€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPD068P03L3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -70 A, -30 V, 0.005 ohm, -10 V, -1.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -70A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,352€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 260 |
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IPD075N03LGATMA1 |
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Fabricado por:
MOSFET, IPD075N03LGATMA1, N-Canal-Canal, 50 A, 30 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) OptiMOS 3 Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 30 V, 0.0063 ohm, 10 V, 2.2 V.
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Precio unitario: 0,241€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPD079N06L3 G |
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Fabricado por:
N-CH 60V 50A 7,9mOhm TO252-3
Otros nombres: TMOS6167.
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Precio unitario: 0,592€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IPD079N06L3GBTMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 50 A, 60 V, 0.0063 ohm, 10 V, 1.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 50A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V
Otros nombres: MOSFET, IPD079N06L3GBTMA1, N-Canal-Canal, 50 A, 60 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) OptiMOS 3 Simple Si.
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Precio unitario: 0,390€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3739 |
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IPD082N10N3 G |
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Fabricado por:
N-CH 100V 80A 7mOhm TO252-3 |
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Precio unitario: 1,038€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPD082N10N3GATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 80 A, 100 V, 0.007 ohm, 10 V, 2.7 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 80A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,580€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3818 |
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IPD088N06N3 G |
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Fabricado por:
N-CH 60V 50A 9mOhm TO252-3 |
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Precio unitario: 0,513€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |