Mostrando 16019 resultados para Eon.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IPD60R360PFD7S |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A |
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Precio unitario: 0,466€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPD60R380C6 |
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Fabricado por:
N-CH 600V 10,6A 380mOhm... |
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Precio unitario: 0,803€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IPD60R380C6ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 10.6 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V
Otros nombres: MOSFET, IPD60R380C6ATMA1, N-Canal-Canal, 10,6 A, 650 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) CoolMOS C6 Simple Si.
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Precio unitario: 0,642€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4015 |
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IPD60R380P6 |
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Fabricado por:
N-CH 600V 10,6A 380mOhm TO252 |
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Precio unitario: 1,019€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPD60R380P6ATMA1 |
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Fabricado por:
MOSFET, IPD60R380P6ATMA1, N-Canal-Canal, 10,6 A, 650 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) CoolMOS P6
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V.
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Precio unitario: 1,249€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPD60R380P6BTMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 10.6 A, 600 V, 0.342 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,818€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPD60R385CP |
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Fabricado por:
N-CH 600V 9A 390mOhm TO252-3 |
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Precio unitario: 1,028€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IPD60R385CPATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 9 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 0,933€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPD60R3K3C6 |
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Fabricado por:
N-CH 600V 2A 3300mOhm TO252-3
Otros nombres: TMOSP10300.
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Precio unitario: 0,335€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPD60R3K3C6ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 1.7 A, 600 V, 2.97 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,367€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5819 |
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IPD60R3K3C6BTMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 1.7 A, 650 V, 2.97 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1,7A; 11,1W; PG-TO252-3.
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Precio unitario: 0,284€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPD60R3K4CE |
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Fabricado por:
N-CH 600V 2,6A 3400mOhm TO252 |
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Precio unitario: 0,211€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IPD60R3K4CEAUMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 2.6 A, 600 V, 3.17 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,125€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2057 |
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IPD60R400CE |
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Fabricado por:
N-CH 650V 14,7A 400mOhm TO252 |
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Precio unitario: 0,602€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPD60R400CEAUMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 14.7 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 14.7A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 600V |
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Precio unitario: 0,753€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2500 |