Mostrando 16019 resultados para Eon.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IPD65R1K4CFD |
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Fabricado por:
N-CH 650V 2,8A 1400mOhm... |
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Precio unitario: 0,584€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IPD65R1K4CFDBTMA1 |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2,8A; 28,4W; PG-TO252-3 |
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Precio unitario: 0,432€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPD65R225C7 |
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Fabricado por:
N-CH 650V 11A 225mOhm TO252 |
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Precio unitario: 1,484€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IPD65R225C7ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 11 A, 650 V, 0.199 ohm, 10 V, 3.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 11A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; 63W; PG-TO252-3.
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Precio unitario: 0,942€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3398 |
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IPD65R250C6 |
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Fabricado por:
N-CH 650V 16A 250mOhm TO252-3 |
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Precio unitario: 1,277€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IPD65R250C6XTMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 16.1 A, 650 V, 0.23 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 16.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 1,067€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 78 |
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IPD65R250E6XTMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 16.1 A, 650 V, 0.23 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 16.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 0,839€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4439 |
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IPD65R380C6 |
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Fabricado por:
N-CH 650V 10,6A 380mOhm TO252
Otros nombres: TMOSP10463.
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Precio unitario: 0,817€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IPD65R380C6ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 10.6 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 0,696€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 157 |
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IPD65R380C6BTMA1 |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10,6A; 83W; PG-TO252-3 |
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Precio unitario: 0,873€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPD65R380E6ATMA1 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 10.6 A, 650 V, 0.34 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10.6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V |
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Precio unitario: 1,213€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 777 |
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IPD65R380E6BTMA1 |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10,6A; 83W; PG-TO252-3 |
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Precio unitario: 0,873€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IPD65R400CE |
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Fabricado por:
N-CH 650V 15,1A 400mOhm TO252 |
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Precio unitario: 0,541€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IPD65R400CEAUMA1 |
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Fabricado por:
MOSFET, IPD65R400CEAUMA1, N-Canal, 15,1 A, 700 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 15.1 A, 650 V, 0.36 ohm, 10 V, 3 V.
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Precio unitario: 0,342€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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IPD65R420CFD |
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Fabricado por:
N-CH 700V 27A 420mOhm TO252
Otros nombres: TMOS2832.
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Precio unitario: 0,923€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |