Mostrando 16019 resultados para Eon.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IRF250 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 30 A, 200 V, 0.085 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 30A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V |
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Precio unitario: 6,402€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF250P224 |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 68A; 313W; TO247AC
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 128 A, 250 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V.
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Precio unitario: 4,278€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 24 |
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IRF250P225 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 69 A, 250 V, 0.018 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 69A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 250V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 49A; 313W; TO247AC.
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Precio unitario: 4,772€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 276 |
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IRF2804LPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF2804LPBF, N-Canal-Canal, 75 A, 40 V, 3-Pin, I2PAK (TO-262) HEXFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 280 A, 40 V, 0.0018 ohm, 10 V, 4 V.
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Precio unitario: 2,195€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF2804PBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF2804PBF, N-Canal-Canal, 280 A, 40 V, 3-Pin, TO-220 HEXFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 280 A, 40 V, 0.0023 ohm, 10 V, 4 V.
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Precio unitario: 1,858€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF2804S-7PPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 320 A, 40 V, 0.0016 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 320A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 2,218€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF2804SPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF2804SPBF, N-Canal-Canal, 280 A, 40 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 75 A, 40 V, 0.002 ohm, 10 V, 4 V.
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Precio unitario: 2,652€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF2804STRL7PP |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF2804STRL7PP, N-Canal-Canal, 320 A, 40 V, 7-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 160 A, 40 V, 0.0012 ohm, 10 V, 4 V.
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Precio unitario: 1,096€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF2804STRLPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF2804STRLPBF, N-Canal-Canal, 270 A, 40 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 75 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 4 V.
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Precio unitario: 1,219€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF2804STRRPBF |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 1,009€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF2805PBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF2805PBF, N-Canal-Canal, 75 A, 55 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 175 A, 55 V, 0.0047 ohm, 10 V, 4 V.
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Precio unitario: 1,451€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF2805SPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 135 A, 55 V, 0.0047 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 135A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 55V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK.
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Precio unitario: 1,145€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 99 |
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IRF2805STRLPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 135 A, 55 V, 0.0039 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 135A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 55V
Otros nombres: MOSFET, IRF2805STRLPBF, N-Canal-Canal, 135 A, 55 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,960€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 288 |
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IRF2807PBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF2807PBF, N-Canal-Canal, 82 A, 80 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET Simple Si |
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Precio unitario: 1,116€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF2807SPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF2807SPBF, N-Canal, 82 A, 75 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 82 A, 75 V, 0.013 ohm, 10 V, 4 V.
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Precio unitario: 1,245€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |