Mostrando 16019 resultados para Eon.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IRF3415STRLPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 43 A, 150 V, 0.042 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 43A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V
Otros nombres: TMOSP11761.
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Precio unitario: 0,803€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 373 |
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IRF3610STRLPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF3610STRLPBF, N-Canal, 103 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema. |
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Precio unitario: 1,773€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IRF3703PBF |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO220AB
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 210 A, 30 V, 0.0028 ohm, 10 V, 4 V.
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Precio unitario: 1,261€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 42 |
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IRF3707ZSPBF |
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Fabricado por:
N-CH 30V 59A 9,5mOhm D2PAK |
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Precio unitario: 0,730€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IRF3707ZSTRLPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF3707ZSTRLPBF, N-Canal, 59 A, 30 V, 2 + Tab-Pin, D2PAK MOSFET de potencia HEXFET de canal N sencillo de 30 V en encapsulado D2-Pak |
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Precio unitario: 0,821€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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IRF3708PBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF3708PBF, N-Canal-Canal, 62 A, 30 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 62 A, 30 V, 0.012 ohm, 10 V, 2 V.
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Precio unitario: 1,242€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF3709PBF |
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Fabricado por:
N-CH 30V 90A 9mOhm TO220 |
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Precio unitario: 0,642€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IRF3709STRLPBF |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 90A; 120W; D2PAK
Otros nombres: TMOSP11767.
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Precio unitario: 0,537€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF3709ZPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF3709ZPBF, N-Canal, 87 A, 30 V, 3-Pin, TO-220AB La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema. |
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Precio unitario: 0,962€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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IRF3709ZSTRRPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF3709ZSTRRPBF, N-Canal-Canal, 87 A, 30 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET |
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Precio unitario: 0,497€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF3710LPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 57 A, 100 V, 0.023 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 57A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, IRF3710LPBF, N-Canal-Canal, 57 A, 100 V, 3-Pin, I2PAK (TO-262) HEXFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,766€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1794 |
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IRF3710PBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 46 A, 100 V, 0.023 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 46A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, IRF3710PBF, N-Canal-Canal, 57 A, 100 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,540€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2132 |
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IRF3710SPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF3710SPBF, N-Canal, 57 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 46 A, 100 V, 0.023 ohm, 10 V, 4 V.
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Precio unitario: 1,145€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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IRF3710STRLPBF |
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Fabricado por:
MOSFET 100V 57A |
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Precio unitario: 0,838€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF3710STRRPBF |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,522€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |