Mostrando 16019 resultados para Eon.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IRF5210LPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF5210LPBF, P-Canal, 38 A, 100 V, 3-Pin, I2PAK (TO-262) HEXFET Simple Si |
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Precio unitario: 1,835€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF5210PBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF5210PBF, P-Canal, 40 A, 100 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET Simple Si |
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Precio unitario: 1,377€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF5210SPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF5210SPBF, P-Canal, 38 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal P, 40 A, -100 V, 0.06 ohm, -10 V, -4 V.
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Precio unitario: 1,066€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IRF5210STRLPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 40 A, -100 V, 0.06 ohm, -10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 40A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -100V
Otros nombres: MOSFET, IRF5210STRLPBF, P-Canal, 38 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,960€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 16572 |
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IRF5210STRRPBF |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,767€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF5305PBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF5305PBF, P-Canal, 31 A, 55 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET Simple Si |
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Precio unitario: 0,951€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF5305SPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF5305SPBF, P-Canal, 31 A, 55 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal P, 31 A, -55 V, 0.06 ohm, -10 V, -4 V.
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Precio unitario: 1,465€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF5305STRLPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF5305STRLPBF, P-Canal, 31 A, 55 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal P, -31 A, -55 V, 0.06 ohm, -10 V, -4 V.
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Precio unitario: 0,998€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF530NPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF530NPBF, N-Canal-Canal, 17 A, 100 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 17 A, 100 V, 0.09 ohm, 10 V, 4 V.
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Precio unitario: 0,623€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF530NSPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 17 A, 100 V, 0.09 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 17A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: TMOSP11808.
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Precio unitario: 0,705€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF530NSTRLPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 17 A, 100 V, 0.09 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 17A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, IRF530NSTRLPBF, N-Canal-Canal, 17 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,405€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF540NLPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF540NLPBF, N-Canal-Canal, 33 A, 100 V, 3-Pin, I2PAK (TO-262) HEXFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 33 A, 100 V, 0.044 ohm, 10 V, 4 V.
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Precio unitario: 0,972€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF540NPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF540NPBF, N-Canal-Canal, 33 A, 100 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 33 A, 100 V, 0.044 ohm, 10 V, 4 V.
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Precio unitario: 0,662€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF540NSPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF540NSPBF, N-Canal, 33 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 33 A, 100 V, 0.044 ohm, 10 V, 4 V.
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Precio unitario: 0,873€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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IRF540NSTRLPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 33 A, 100 V, 0.044 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 33A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, IRF540NSTRLPBF, N-Canal-Canal, 33 A, 100 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,496€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |