Mostrando 16019 resultados para Eon.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IRF6201PBF |
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Fabricado por:
N-CH 20V 27A 2,45mOhm SO8 |
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Precio unitario: 0,450€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IRF6201TRPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 27 A, 20 V, 0.0019 ohm, 4.5 V, 1.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 27A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, IRF6201TRPBF, N-Canal-Canal, 27 A, 20 V, 8-Pin, SOIC HEXFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,387€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1009 |
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IRF6215PBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 13 A, -150 V, 0.29 ohm, -10 V, -4 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 13A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -150V
Otros nombres: MOSFET, IRF6215PBF, P-Canal, 13 A, 150 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,532€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1271 |
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IRF6215SPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 13 A, -150 V, 0.29 ohm, -10 V, -4 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 13A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -150V |
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Precio unitario: 1,029€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF6215STRLPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -13 A, -150 V, 0.29 ohm, -10 V, -4 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -13A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -150V
Otros nombres: TMOSP11825.
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Precio unitario: 0,454€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3047 |
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IRF6216PBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF6216PBF, P-Canal, 2,2 A, 150 V, 8-Pin, SOIC HEXFET Simple Si |
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Precio unitario: 0,952€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF6216TRPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -2.2 A, -150 V, 0.24 ohm, -10 V, -5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -2.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -150V
Otros nombres: MOSFET, IRF6216TRPBF, P-Canal, 2,2 A, 150 V, 8-Pin, SOIC HEXFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,514€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1200 |
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IRF6217TRPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -700 mA, -150 V, 2.4 ohm, -10 V, -5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -700mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): -150V
Otros nombres: MOSFET, IRF6217TRPBF, P-Canal, 700 mA, 150 V, 8-Pin, SOIC HEXFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,167€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1850 |
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IRF6218STRLPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF6218STRLPBF, P-Canal, 27 A, 150 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal P, -27 A, -150 V, 0.12 ohm, -10 V, -5 V.
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Precio unitario: 0,983€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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IRF630NPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 9.3 A, 200 V, 0.3 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 9.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V
Otros nombres: MOSFET, IRF630NPBF, N-Canal-Canal, 9,3 A, 200 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,317€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1478 |
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IRF630NSTRLPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 9.3 A, 200 V, 0.3 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 9.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V
Otros nombres: MOSFET, IRF630NSTRLPBF, N-Canal-Canal, 9,3 A, 200 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,439€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1608 |
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IRF640NLPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF640NLPBF, N-Canal-Canal, 18 A, 200 V, 3-Pin, I2PAK (TO-262) HEXFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 18 A, 200 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V.
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Precio unitario: 1,325€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF640NPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF640NPBF, N-Canal-Canal, 18 A, 200 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 18 A, 200 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V.
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Precio unitario: 0,648€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF640NSPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF640NSPBF, N-Canal, 18 A, 200 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 18 A, 200 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V.
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Precio unitario: 0,560€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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IRF640NSTRLPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF640NSTRLPBF, N-Canal-Canal, 18 A, 200 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) HEXFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 18 A, 200 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V.
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Precio unitario: 0,948€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |