Mostrando 16019 resultados para Eon.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IRF7831PBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 30 V, 0.0036 ohm, 10 V, 2.35 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2,5W; SO8.
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Precio unitario: 0,527€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF7831TRPBF |
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Fabricado por:
N CHANNEL MOSFET, 30V, 21A, SOIC
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 30 V, 0.0031 ohm, 10 V, 2.35 V.
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Precio unitario: 0,807€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF7832PBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF7832PBF, N-Canal-Canal, 20 A, 30 V, 8-Pin, SOIC HEXFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 2.32 V.
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Precio unitario: 1,162€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF7832TRPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF7832TRPBF, N-Canal-Canal, 20 A, 30 V, 8-Pin, SOIC HEXFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 20 A, 30 V, 0.0031 ohm, 10 V, 2.32 V.
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Precio unitario: 0,468€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF7832TRPBF. |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,511€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF7834PBF |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,523€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 11 |
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IRF7834TRPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 19 A, 30 V, 0.0036 ohm, 10 V, 2.25 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 19A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,963€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2700 |
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IRF7842PBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF7842PBF, N-Canal, 18 A, 40 V, 8-Pin, SOIC La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 18 A, 40 V, 0.005 ohm, 4.5 V, 2.25 V.
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Precio unitario: 0,856€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IRF7842TRPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF7842TRPBF, N-Canal-Canal, 18 A, 40 V, 8-Pin, SOIC HEXFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 18 A, 40 V, 0.004 ohm, 10 V, 2.25 V.
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Precio unitario: 1,078€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF7853PBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 8.3 A, 100 V, 0.018 ohm, 10 V, 4.9 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: TMOSP12006.
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Precio unitario: 0,599€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF7853TRPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, HEXFET®, Canal N, 8.3 A, 100 V, 0.0144 ohm, 10 V, 4.9 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V
Otros nombres: MOSFET, IRF7853TRPBF, N-Canal-Canal, 8,3 A, 100 V, 8-Pin, SOIC HEXFET.
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Precio unitario: 0,502€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3062 |
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IRF7854TRPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 10 A, 80 V, 0.011 ohm, 10 V, 4.9 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 10A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 80V
Otros nombres: MOSFET, IRF7854TRPBF, N-Canal-Canal, 10 A, 80 V, 8-Pin, SOIC HEXFET.
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Precio unitario: 0,532€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 672 |
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IRF7855PBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF7855PBF, N-Canal, 12 A, 60 V, 8-Pin, SOIC La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 60 V, 0.0094 ohm, 10 V, 4.9 V.
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Precio unitario: 0,566€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IRF7855TRPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF7855TRPBF, N-Canal-Canal, 12 A, 60 V, 8-Pin, SOIC HEXFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 12 A, 60 V, 0.0094 ohm, 10 V, 4.9 V.
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Precio unitario: 1,074€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRF7862PBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRF7862PBF, N-Canal, 21 A, 30 V, 8-Pin, SOIC La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 30 V, 0.0037 ohm, 10 V, 5.4 V.
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Precio unitario: 0,857€ Unidades/pack: N/D Entrega: 22 días Stock: Sí |