Mostrando 16019 resultados para Eon.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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AUIRF9952QTR |
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Fabricado por:
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 3,5/-2,3A; 2W; SO8 |
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Precio unitario: 0,572€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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AUIRF9Z34N |
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Fabricado por:
MOSFET, AUIRF9Z34N, P-Canal, 19 A, 55 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal P, -19 A, -55 V, 0.1 ohm, -10 V, -2 V.
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Precio unitario: 1,184€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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AUIRFB3207 |
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Fabricado por:
MOSFET, AUIRFB3207, N-Canal-Canal, 170 A, 75 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 170 A, 75 V, 0.0036 ohm, 10 V, 2 V.
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Precio unitario: 1,511€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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AUIRFB3806 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 43 A, 60 V, 0.0126 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 43A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,496€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 430 |
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AUIRFB4410 |
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Fabricado por:
MOSFET, AUIRFB4410, N-Canal-Canal, 88 A, 100 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET Simple Si |
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Precio unitario: 2,173€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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AUIRFB4610 |
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Fabricado por:
MOSFET, AUIRFB4610, N-Canal-Canal, 73 A, 100 V, 3-Pin, TO-220AB HEXFET Simple Si |
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Precio unitario: 2,498€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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AUIRFB8405 |
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Fabricado por:
N-CH 40V 185A 2,1mOhm TO-220 |
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Precio unitario: 3,793€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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AUIRFB8407 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 195 A, 40 V, 0.0016 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 195A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; TO220AB.
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Precio unitario: 1,232€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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AUIRFB8409 |
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Fabricado por:
MOSFET, AUIRFB8409, N-Canal-Canal, 195 A, 409 A, 40 V, 3-Pin, TO-220AB COOLiRFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 195 A, 40 V, 0.001 ohm, 10 V, 3.9 V.
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Precio unitario: 3,914€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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AUIRFL014NTR |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 1.9 A, 55 V, 0.16 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 55V |
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Precio unitario: 0,333€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 945 |
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AUIRFL024NTR |
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Fabricado por:
N-CH 55V 2,8A 75mOhm SOT-223 |
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Precio unitario: 0,672€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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AUIRFN7107TR |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 1,086€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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AUIRFN8401TR |
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Fabricado por:
MOSFET, AUIRFN8401TR, N-Canal, 84 A, 40 V, 8-Pin, PQFN La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema. |
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Precio unitario: 0,927€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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AUIRFN8403TR |
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Fabricado por:
MOSFET, AUIRFN8403TR, N-Canal, 123 A, 40 V, 8-Pin, PQFN La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema. |
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Precio unitario: 1,025€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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AUIRFN8405TR |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, AEC-Q101, Canal N, 187 A, 40 V, 0.0016 ohm, 10 V, 3.9 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 187A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V |
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Precio unitario: 0,917€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3990 |