Mostrando 16019 resultados para Eon.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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IRFR13N15DTRPBF |
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Fabricado por:
N-CH 150V 14A 180mOhm TO252
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 14 A, 150 V, 0.18 ohm, 10 V, 5.5 V.
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Precio unitario: 0,534€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IRFR13N20DPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRFR13N20DPBF, N-Canal, 13 A, 200 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 13 A, 200 V, 0.235 ohm, 10 V, 5.5 V.
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Precio unitario: 0,640€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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IRFR13N20DTRPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 13 A, 200 V, 0.235 ohm, 10 V, 5.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 13A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V
Otros nombres: TMOSP12261.
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Precio unitario: 0,503€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRFR15N20DPBF |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,524€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRFR15N20DTRPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, SMPS, Canal N, 17 A, 200 V, 0.165 ohm, 10 V, 5.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 17A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V
Otros nombres: TMOSP12263.
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Precio unitario: 0,461€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 395 |
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IRFR18N15DPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 18 A, 150 V, 0.125 ohm, 10 V, 5.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 18A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 0,524€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRFR18N15DTRPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, SMPS, Canal N, 18 A, 150 V, 0.125 ohm, 10 V, 5.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 18A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 150V |
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Precio unitario: 0,863€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4554 |
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IRFR220NPBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRFR220NPBF, N-Canal-Canal, 5 A, 200 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) HEXFET Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 5 A, 200 V, 0.6 ohm, 10 V, 4 V.
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Precio unitario: 0,840€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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IRFR220NTRLPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 5 A, 200 V, 0.6 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V |
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Precio unitario: 0,279€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3722 |
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IRFR220NTRPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 5 A, 200 V, 0.6 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 200V
Otros nombres: TMOSP12268.
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Precio unitario: 0,279€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1860 |
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IRFR2307ZPBF |
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Fabricado por:
N-CH 75V 53A 16mOhm TO252
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 42 A, 75 V, 0.0128 ohm, 10 V, 4 V.
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Precio unitario: 0,661€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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IRFR2307ZTRLPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 42 A, 75 V, 0.0128 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 42A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 75V
Otros nombres: MOSFET, IRFR2307ZTRLPBF, N-Canal-Canal, 53 A, 75 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) HEXFET Simple Si.
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Precio unitario: 0,590€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 4684 |
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IRFR2405PBF |
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Fabricado por:
MOSFET, IRFR2405PBF, N-Canal, 56 A, 55 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 56 A, 55 V, 0.016 ohm, 10 V, 4 V.
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Precio unitario: 0,417€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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IRFR2405TRLPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 56 A, 55 V, 0.0118 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 56A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 55V
Otros nombres: TMOSP12273.
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Precio unitario: 0,795€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1670 |
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IRFR2405TRPBF |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 56 A, 55 V, 0.0118 ohm, 10 V, 4 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 56A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 55V
Otros nombres: TMOSP12274.
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Precio unitario: 0,436€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 158 |