Mostrando 16019 resultados para Eon.

SKU Imagen Nombre de producto Datasheet Entrega y precio
SPB21N50C3
SPB21N50C3

Fabricado por: Infineon

High Voltage MOSFETs (>=500V)

TMOSP8182

N-CH 500V 21A 190mOhm TO263-3

Precio unitario: 2,678€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
SPB21N50C3ATMA1
SPB21N50C3ATMA1

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 21 A, 500 V, 0.16 ohm, 10 V, 3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 21A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V

Precio unitario: 1,892€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 990
SPB80P06P G
SPB80P06P G

Fabricado por: Infineon

Low Voltage MOSFETs (<500V)

TMOSP7776

P-CH 60V 80A 23mOhm TO263-3

Precio unitario: 2,551€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SPB80P06PGATMA1
SPB80P06PGATMA1

Fabricado por: Infineon

MOSFET

MOSFET, SPB80P06PGATMA1, P-Canal, 80 A, 60 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) SIPMOS Simple Si

Otros nombres: MOSFET, SPB80P06PGATMA1, P-Canal, 80 A, -60 V, 3-Pin, D2PAK (TO-263) SIPMOS Simple, Transistor MOSFET, Canal P, -80 A, -60 V, 0.021 ohm, -10 V, -3 V.

- Precio unitario: 2,658€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SPD01N60C3
SPD01N60C3

Fabricado por: Infineon

High Voltage MOSFETs (>=500V)

TMOSP9211

N-CH 600V 1A 6000mOhm TO252-3

Precio unitario: 0,373€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
SPD02N50C3
SPD02N50C3

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 1.8 A, 500 V, 2.7 ohm, 10 V, 3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 500V

Precio unitario: 0,289€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SPD02N60C3
SPD02N60C3

Fabricado por: Infineon

MOSFETs

TMOSP7210

N-CH 600V 1.8A 3000mOhm...

Precio unitario: 0,519€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
SPD02N60C3BTMA1
SPD02N60C3BTMA1

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 1.8 A, 650 V, 2.7 ohm, 10 V, 3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 1.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V

Precio unitario: 0,349€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SPD02N80C3
SPD02N80C3

Fabricado por: Infineon

High Voltage MOSFETs (>=500V)

TMOSP11238

N-CH 800V 2A 2700mOhm TO252-3

Otros nombres: TMOSP9433.

Precio unitario: 0,604€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SPD02N80C3ATMA1
SPD02N80C3ATMA1

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 2 A, 800 V, 2.4 ohm, 10 V, 3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 800V

Otros nombres: MOSFET, SPD02N80C3ATMA1, N-Canal-Canal, 2 A, 800 V, 3-Pin, DPAK (TO-252) CoolMOS.

Precio unitario: 0,405€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 229
SPD02N80C3BTMA1
SPD02N80C3BTMA1

Fabricado por: Infineon

MOSFET

MOSFET, SPD02N80C3BTMA1, N-Canal, 2 A, 800 V, 3-Pin, DPAK (TO-252)

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Precio unitario: 0,616€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: Sí
SPD03N50C3ATMA1
SPD03N50C3ATMA1

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 3.2 A, 560 V, 1.25 ohm, 10 V, 3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 3.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 560V

Precio unitario: 0,434€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 7 días
Stock: 43
SPD03N60C3
SPD03N60C3

Fabricado por: Infineon

High Voltage MOSFETs (>=500V)

TMOS1498

N-CH 600V 3,2A 1400mOhm TO252

Otros nombres: TMOSP7217.

Precio unitario: 0,638€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí
SPD03N60C3ATMA1
SPD03N60C3ATMA1

Fabricado por: Infineon

Transistores MOSFET Simples

Transistor MOSFET, Canal N, 3.2 A, 650 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V

Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 3.2A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 650V

Otros nombres: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9,6A; 38W; PG-TO252.

Precio unitario: 0,418€
Unidades/pack: N/D
Entrega: >30 días
Stock: Sí
SPD03N60C3BTMA1
SPD03N60C3BTMA1

Fabricado por: Infineon

MOSFET

MOSFET, SPD03N60C3BTMA1, N-Canal, 3,2 A, 650 V, 3-Pin, DPAK (TO-252)

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Precio unitario: 0,586€
Unidades/pack: N/D
Entrega: 30 días
Stock: Sí