Mostrando 739 resultados para Fsp.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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C3M0160120D |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 12A; Idm: 34A; 97W |
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Precio unitario: 5,073€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C3M0160120J |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 12A; Idm: 34A; 90W |
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Precio unitario: 5,025€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C3M0280090D |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 11.5 A, 900 V, 0.28 ohm, 15 V, 2.1 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 11.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 900V
Otros nombres: MOSFET, C3M0280090D, N-Canal-Canal, 11,5 A, 900 V, 3-Pin, TO-247 Simple SiC.
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Precio unitario: 2,891€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 231 |
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C3M0280090J |
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Fabricado por:
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
Otros nombres: MOSFET, C3M0280090J, N-Canal-Canal, 11 A, 900 V, 7-Pin, TO-263 Simple SiC, Transistor MOSFET, Canal N, 11 A, 900 V, 0.28 ohm, 15 V, 2.1 V.
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Precio unitario: 3,337€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C3M0350120D |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 5,5A; Idm: 20A; 50W |
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Precio unitario: 3,376€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C3M0350120J |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 5A; Idm: 20A; 40,8W |
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Precio unitario: 3,434€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C4D02120A |
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Fabricado por:
Diodo, C4D02120A, 10A, 1200V Schottky SiC, TO-220, 2-Pines 3V, Schottky SiC
Otros nombres: Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie Z-Rec 1200V, Simple, 1.2 kV, 10 A, 11 nC, TO-220, Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 2A; 60W.
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Precio unitario: 1,538€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C4D02120E |
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Fabricado por:
Diodo, C4D02120E, 4.5A, 1200V Schottky SiC, DPAK (TO-252), 3-Pines 3V, Schottky SiC
Otros nombres: Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; SMD; 1,2kV; 2A; 52W.
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Precio unitario: 1,525€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C4D05120A |
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Fabricado por:
Diodo, C4D05120A, 17A, 1200V Schottky SiC, TO-220, 2-Pines 3V, Schottky SiC
Otros nombres: Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie Z-Rec 1200V, Simple, 1.2 kV, 17 A, 27 nC, TO-220, Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 5A; 81W.
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Precio unitario: 5,330€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C4D05120E |
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Fabricado por:
Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie Z-Rec 1200V, Simple, 1.2 kV, 9 A, 27 nC, TO-252 Rango de Producto: Serie Z-Rec 1200V Configuración de Diodo: Único Tensión Inversa Repetitiva Vrrm Máx.: 1.2kV
Otros nombres: Diodo, C4D05120E, 19A, 1200V Schottky SiC, DPAK (TO-252), 3-Pines 3V, Schottky SiC, Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; SMD; 1,2kV; 5A; 97W.
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Precio unitario: 3,337€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C4D08120A |
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Fabricado por:
Diodo, C4D08120A, 23A, 1200V, TO-220, 2-Pines, Schottky SiC Una gama de diodos Schottky SiC (carburo de silicio) de Wolfspeed que ofrece mejoras significativas con respecto a los diodos de barrera Schottky estándar. Los diodos SiC proporcionan una intensidad de campo de ruptura mucho mayor y mayor conductividad térmica junto con una reducción significativa de pérdida de potencia en frecuencias de conmutación altas. Los diodos SiC son la elección perfecta en aplicaciones de alta eficacia y alta tensión como fuentes de alimentación de modo …
Otros nombres: Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie Z-Rec 1200V, Simple, 1.2 kV, 23 A, 37 nC, TO-220, Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 8A; 120W.
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Precio unitario: 5,228€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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C4D08120E |
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Fabricado por:
Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; SMD; 1,2kV; 8A; 137W
Otros nombres: Diodo, C4D08120E, Alta tensión, 24.5A, 1200V Schottky SiC, DPAK (TO-252), 3-Pines 3V, Schottky SiC.
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Precio unitario: 3,638€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: 66 |
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C4D10120A |
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Fabricado por:
Diodo, C4D10120A, 14A, 1200V Schottky SiC, TO-220, 2-Pines 3V, Schottky SiC
Otros nombres: Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie Z-Rec 1200V, Simple, 1.2 kV, 29.5 A, 52 nC, TO-220, Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 10A.
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Precio unitario: 8,105€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C4D10120D |
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Fabricado por:
Diodo, C4D10120D, 38A, 1200V Schottky SiC, TO-247, 3-Pines 3V, Schottky SiC
Otros nombres: Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie Z-Rec 1200V, Cátodo Común Doble, 1.2 kV, 38 A, 54 nC, Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 2x5A.
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Precio unitario: 6,128€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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C4D10120E |
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Fabricado por:
Diodo, C4D10120E, 33A, 1200V Schottky SiC, DPAK (TO-252), 2-Pines 3V, Schottky SiC
Otros nombres: Diodo Schottky de Carburo de Silicio, Serie Z-Rec 1200V, Simple, 1.2 kV, 33 A, 52 nC, TO-252, Diodo: rectificador de barrera Schottky; SiC; SMD; 1,2kV; 10A.
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Precio unitario: 6,128€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |