Amstron Electronics | 69447 resultados para "Ge"

Mostrando 69447 resultados para Ge.

SKU	Nombre de producto	Datasheet	Entrega y precio
SI-MAGB2SM W/30	Fabricado por: `MAGENTIC SWITCH: SMALL RECTANGULAR SENSOR` `Interruptores con Enclavamiento de Seguridad` MAGENTIC SWITCH: SMALL RECTANGULAR SENSOR		Precio unitario: 49,402€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí
SI-MAGB2SMQD	Fabricado por: `MAGENTIC SWITCH: SMALL RECTANGULAR SENSOR` `Interruptores con Enclavamiento de Seguridad` MAGENTIC SWITCH: SMALL RECTANGULAR SENSOR		Precio unitario: 49,402€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí
SI-MAGB3SM	Fabricado por: `MAGENTIC SWITCH: 30 MM BARREL SENSOR` `Interruptores con Enclavamiento de Seguridad` MAGENTIC SWITCH: 30 MM BARREL SENSOR		Precio unitario: 39,508€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí
SI-MAGB3SM W/30	Fabricado por: `MAGENTIC SWITCH: 30 MM BARREL SENSOR` `Interruptores con Enclavamiento de Seguridad` MAGENTIC SWITCH: 30 MM BARREL SENSOR		Precio unitario: 49,402€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí
SI-MAGB3SMQD	Fabricado por: `MAGENTIC SWITCH: 30 MM BARREL SENSOR` `Interruptores con Enclavamiento de Seguridad` MAGENTIC SWITCH: 30 MM BARREL SENSOR		Precio unitario: 48,893€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí
SI1012CR-T1-GE3	Fabricado por: `Vishay` `Transistores MOSFET Simples` Transistor MOSFET, Canal N, 630 mA, 20 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 400 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 630mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V Otros nombres: MOSFET, SI1012CR-T1-GE3, N-Canal-Canal, 630 mA, 20 V, 3-Pin, SOT-416 (SC-75 A) Simple Si, TMOSS6661.		Precio unitario: 0,082€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 159420
SI1012R-T1-GE3	Fabricado por: `Vishay` `MOSFETs` TMOSS6342 N-CHAN.MOS-FET 20V 0,6A SC75A		Precio unitario: 0,206€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí
SI1012X-T1-GE3	Fabricado por: `VISHAY` `Transistores con canal N SMD` Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0,35A; 0,08W; SC89		Precio unitario: 0,162€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí
SI1013R-T1-GE3	Fabricado por: `VISHAY` `Transistores con canal P SMD` Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0,275A; 0,08W; SC75A Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal P, -350 mA, -20 V, 0.8 ohm, -1.8 V, -450 mV.		Precio unitario: 0,189€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí
SI1016CX-T1-GE3	Fabricado por: `Vishay` `MOSFET` MOSFET, SI1016CX-T1-GE3 Dual N/P-Canal, 600 mA, 20 V, 6-Pin, SOT-563 Otros nombres: MOSFET Doble, Canal N y P, 600 mA, 20 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 400 mV.		Precio unitario: 0,108€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí
SI1021R-T1-GE3	Fabricado por: `Vishay` `MOSFET` 4.5V P-Ch 60V (D-S) MPSFET - Lead(Pb) a	-	Precio unitario: 0,287€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí
SI1022R-T1-GE3	Fabricado por: `Vishay` `Transistores MOSFET Simples` Transistor MOSFET, Canal N, 330 mA, 60 V, 1.25 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 330mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V Otros nombres: TMOSS6298.		Precio unitario: 0,148€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3792
SI1025X-T1-GE3	Fabricado por: `Vishay` `MOSFET` MOSFET, SI1025X-T1-GE3, Dual, P-Canal, 135 mA, 60 V, 6-Pin, SOT-523 (SC-89) Aislado Si	-	Precio unitario: 0,289€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí
SI1026X-T1-GE3	Fabricado por: `Vishay` `Transistores MOSFET Dobles` MOSFET Doble, Canal N, 305 mA, 60 V, 1.4 ohm, 10 V, 2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 305mA Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V Otros nombres: MOSFET, SI1026X-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 300 mA, 60 V, 6-Pin, SOT-523 (SC-89) Aislado Si.		Precio unitario: 0,151€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí
SI1028X-T1-GE3	Fabricado por: `Vishay` `MOSFET` MOSFET, SI1028X-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 480 mA, 30 V, 6-Pin, SOT-523 (SC-89) Aislado Si Otros nombres: MOSFET Doble, Canal N Doble, 480 mA, 30 V, 0.54 ohm, 10 V, 1 V.	-	Precio unitario: 0,083€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí