Mostrando 69447 resultados para Ge.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI3429EDV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -40A; 2,7W; TSOP6 |
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Precio unitario: 0,154€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI3430DV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
N CHANNEL MOSFET, 100V, 2.4A, TSOP-6 Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 2.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 100V |
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Precio unitario: 0,734€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 828 |
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SI3433CDV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -6 A, -20 V, 0.031 ohm, -4.5 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V
Otros nombres: MOSFET, SI3433CDV-T1-GE3, P-Canal, 6 A, 20 V, 6-Pin, TSOP Simple Si.
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Precio unitario: 0,148€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI3437DV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SI3437DV-T1-GE3, P-Canal, 1.1 A, 150 V, 6-Pin, TSOP Simple Si
Otros nombres: MOSFET, SI3437DV-T1-GE3, P-Canal, 1,1 A, 150 V, 6-Pin, TSOP Simple Si, Transistor MOSFET, Canal P, -1.4 A, -150 V, 0.61 ohm, -10 V, -4 V.
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Precio unitario: 0,729€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI3440ADV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
N-CH 150V 2,2A 316mOhm TSOP6
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 2.2 A, 150 V, 0.316 ohm, 10 V, 4 V.
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Precio unitario: 0,150€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI3440DV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 1,2A; Idm: 6A |
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Precio unitario: 0,349€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI3442CDV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 8 A, 20 V, 0.0225 ohm, 10 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V |
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Precio unitario: 0,130€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2145 |
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SI3443CDV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -5.97 A, -20 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -600 mV Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -5.97A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,146€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3676 |
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SI3443DDV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SI3443DDV-T1-GE3, P-Canal, 4 A, 20 V, 6-Pin, TSOP6 Simple |
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Precio unitario: 0,074€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI3447CDV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,271€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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SI3456DDV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 6.3 A, 30 V, 0.033 ohm, 10 V, 1.2 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 6.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,096€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI3457CDV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SI3457CDV-T1-GE3, P-Canal, 5,1 A, 30 V, 6-Pin, TSOP6 Simple |
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Precio unitario: 0,169€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI3458BDV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 3,2A; Idm: 10A |
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Precio unitario: 0,369€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI3459BDV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -2.9 A, -60 V, 0.18 ohm, -10 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -2.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -60V |
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Precio unitario: 0,230€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI3460DDV-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 7.9 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 400 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 7.9A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: MOSFET, SI3460DDV-T1-GE3, N-Canal, 7,9 A, 20 V, 6-Pin, TSOP.
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Precio unitario: 0,140€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 7130 |