Mostrando 69447 resultados para Ge.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI6981DQ-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -4.1 A, -20 V, 0.026 ohm, -4.5 V, -900 mV Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -4.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,634€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7101DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -35 A, -30 V, 0.0058 ohm, -10 V, -1.2 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,441€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 3995 |
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SI7102DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 35 A, 12 V, 0.0031 ohm, 4.5 V, 400 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 35A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 12V |
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Precio unitario: 0,672€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 5 |
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SI7108DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
N CHANNEL MOSFET, 20V, 22A POWERPAK Polaridad de Transistor: N Channel Corriente de Drenaje Continua Id: 22A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 20V
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal N, 14 A, 20 V, 0.0041 ohm, 10 V, 2 V.
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Precio unitario: 1,242€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 1809 |
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SI7111EDN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -60 A, -30 V, 0.0072 ohm, -4.5 V, -1.6 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 2,056€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7112DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 11.3 A, 30 V, 0.006 ohm, 10 V, 600 mV Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 11.3A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 0,831€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7113ADN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -10.8 A, -100 V, 0.11 ohm, -10 V, -2.6 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -10.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -100V
Otros nombres: TMOS3201.
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Precio unitario: 0,181€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7113DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,563€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7114ADN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SI7114ADN-T1-GE3, N-Canal-Canal, 18 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAK 1212 Simple Si |
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Precio unitario: 0,253€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7115DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
P-CH 150V 8,9A 295mOhm... |
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Precio unitario: 0,800€ Unidades/pack: N/D Entrega: 30 días Stock: Sí |
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SI7117DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SI7117DN-T1-GE3, P-Canal, 1,7 A, 150 V, 8-Pin, PowerPAK 1212 Simple Si |
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Precio unitario: 1,239€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7119DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, 3.8 A, -200 V, 0.86 ohm, -10 V, -4 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: 3.8A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -200V
Otros nombres: P-Ch PowerPAK 1212-8 200V 1050mohm @ 10.
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Precio unitario: 0,371€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 510 |
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SI7120ADN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal N, 9.5 A, 60 V, 0.0175 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Corriente de Drenaje Continua Id: 9.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 60V |
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Precio unitario: 0,603€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2750 |
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SI7121ADN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 0,163€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7121DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SI7121DN-T1-GE3, P-Canal, 9,6 A, 30 V, 8-Pin, PowerPAK 1212 Simple Si |
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Precio unitario: 0,894€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |