Mostrando 69447 resultados para Ge.
| SKU | Imagen | Nombre de producto | Datasheet | Entrega y precio | |
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SI7900AEDN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SI7900AEDN-T1-GE3, Dual, N-Canal-Canal, 6 A, 20 V, 8-Pin, PowerPAK 1212 Drenaje común Si |
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Precio unitario: 0,473€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7904BDN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SI7904BDN-T1-GE3 Dual, N-Canal, 6 A, 20 V, 8-Pin, PowerPAK 1212 |
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Precio unitario: 0,621€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: Sí |
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SI7905DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -6 A, -40 V, 0.048 ohm, -4.5 V, -3 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -6A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -40V
Otros nombres: MOSFET, DUAL P CHANNEL, -40V, -6A, POWER.
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Precio unitario: 1,086€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7913DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
DUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, 7.4A Polaridad de Transistor: Dual P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -7.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,918€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6000 |
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SI7923DN-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -6.4 A, -30 V, 0.075 ohm, -4.5 V, -1 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -6.4A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,607€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7938DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 60 A, 40 V, 0.0048 ohm, 10 V, 2.5 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 40V
Otros nombres: DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V, 60A, FULL REEL.
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Precio unitario: 0,620€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7949DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3,2A; Idm: -25A; 0,94W
Otros nombres: TMOSP9516.
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Precio unitario: 0,834€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7956DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 1,285€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7994DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal N Doble, 60 A, 30 V, 0.0046 ohm, 10 V, 3 V Polaridad de Transistor: Canal N Doble Corriente de Drenaje Continua Id: 60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): 30V |
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Precio unitario: 2,716€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI7997DP-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET Doble, Canal P Doble, -60 A, -30 V, 0.0045 ohm, -10 V, -2.2 V Polaridad de Transistor: Canal P Doble Corriente de Drenaje Continua Id: -60A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V
Otros nombres: Dual P-Ch PowerPAK SO-8 30V 55mohm @ 10V.
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Precio unitario: 0,942€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 6814 |
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SI86XXISO-KIT |
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Placa de Evaluación, Aislador SI86XX, Simplifica Comprobación Funcional Básica/Validación Ingeniería |
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Precio unitario: 28,237€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI9122DQ-T1-E3 |
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Fabricado por:
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Precio unitario: 3,046€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI9407BDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
MOSFET, SI9407BDY-T1-GE3, P-Canal, 3,8 A, 60 V, 8-Pin, SOIC Simple Si
Otros nombres: Transistor MOSFET, Canal P, -4.7 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 V.
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Precio unitario: 0,393€ Unidades/pack: N/D Entrega: >30 días Stock: Sí |
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SI9433BDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Transistor MOSFET, Canal P, -4.5 A, -20 V, 0.03 ohm, -4.5 V, -1.5 V Polaridad de Transistor: Canal P Corriente de Drenaje Continua Id: -4.5A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -20V |
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Precio unitario: 0,356€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 373 |
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SI9435BDY-T1-GE3 |
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Fabricado por:
Polaridad de Transistor: P Channel Corriente de Drenaje Continua Id: -4.1A Tensión Drenador-Fuente (Vds): -30V |
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Precio unitario: 0,531€ Unidades/pack: N/D Entrega: 7 días Stock: 2184 |